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三極管各極有什么區別,怎么辨認

發布時間:2019年11月01日 15:11    發布者:xunavc
  半導體三極管,也稱為晶體管,它是由三層半導體制成的兩個PN結組成。從三塊半導體上各引出一根導線是晶體管的三個電極,它們分別叫做發射極e,基極b和集電極c。每塊對應的半導體稱為發射區,基區和集電區。
  從本質上分辨,可以通過分辨發射區,基區,集電區,分辨發射極e,基極b,和集電極c。因為這三個電極都是三極管中各區導線牽出去的。
  發射區和集電區均為N型半導體,不同的是,發射區比集電區摻入的雜質多,在幾何尺寸上,集電區的面積要遠比發射區的大。而基區在發射區和集電區之間。
  簡化電路中一般用“Y"型來表示,一般都會有標識,其中b就是基極,e就是發射極,c是集電極。
  如果沒有標識,同樣是“Y"交叉處為基極,然后“Y”有箭頭出來的是發射極,另一個自然就是集電極了。
  分辨三極管各極的方法大概就是這樣了,如果有幫到你的話請投票點贊哦!
  BSO094N03S www.dzsc.com/ic-detail/9_10424.html技術參數
  品牌:INFINEON
  型號:BSO094N03S
  批號:19+
  封裝:SOP8
  數量:250000
  系列:OptiMOS??
  包裝:帶卷(TR)
  零件狀態:Digi-Key已不再提供
  FET類型:N溝道
  技術:MOSFET(金屬氧化物)
  漏源極電壓(Vdss):30V
  電流-連續漏極(Id)(25°C時):10A(Ta)不同Id時的Vgs(th)(最大值):[email protected]?A不同Vgs時的柵極電荷 (Qg)(最大值):[email protected]不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):[email protected]功能:-功率耗散(最大值):1.56W(Ta)不同 Id,Vgs時的 RdsOn(最大值):9.1毫[email protected],10V工作溫度:-55°C~150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝(SMT)供應商器件封裝:PG-DSO-8封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)
  晶體管極性: N-Channel
  Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
  Id-連續漏極電流: 10 A
  Rds On-漏源導通電阻: 9.1 mOhms
  Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
  最小工作溫度: - 55 C
  最大工作溫度: + 150 C
  Pd-功率耗散: 1.56 W
  配置: Single
  通道模式: Enhancement
  封裝: Cut Tape
  封裝: Reel
  高度: 1.75 mm
  長度: 4.9 mm
  晶體管類型: 1 N-Channel
  寬度: 3.9 mm
  商標: Infineon Technologies
  下降時間: 4.4 ns
  產品類型: MOSFET
  上升時間: 4.4 ns
  工廠包裝數量: 2500
  子類別: MOSFETs
  典型關閉延遲時間: 22 ns
  典型接通延遲時間: 5.4 ns
  零件號別名: BSO094N03SXT
  單位重量: 540 mg


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